中国科学院院士陈星弼去世 陈星弼院士资料介绍

中国科学院院士陈星弼去世 陈星弼院士资料介绍

据媒体报道称,国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效,于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。

陈星弼院士是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统“硅极限”,被国际学术界誉为”高压功率器件新的里程碑”。

中国科学院院士陈星弼去世 陈星弼院士资料介绍

(中国科学院院士陈星弼去世 陈星弼院士资料介绍)

陈星弼院士资料介绍

陈星弼院士1931年出生于上海,半导体器件及微电子学专家,中国科学院院士,电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究,被誉为“中国功率器件领路人”。

陈星弼1952年毕业于同济大学,后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。1999年当选为中国科学院院士。2001年加入九三学社。